Microchip Technology annonce avoir finalisé sa famille de MOSFET de puissance résistants aux radiations selon les spécifications MIL-PRF-19500/746 et obtenu la certification JANSF pour son MOSFET à canal N 100 V JANSF2N8587U3 jusqu'à une dose ionisante totale (TID) de 300 Krad (Si).
La série JANS de Microchip comprend des dispositifs de puissance durcis aux radiations, avec des tensions d'alimentation de 100 à 250 V et une dose d'irradiation totale (TID) jusqu'à 100 krad(Si). Cette gamme s'étend désormais avec des niveaux de durcissement aux radiations (RHA) plus élevés, à commencer par le JANSF2N7587U3, offrant une TID de 300 krad(Si). Le MOSFET durci aux radiations JANS est disponible en différents boîtiers, notamment un boîtier plastique utilisant le circuit intégré JANSR conforme à la norme MIL, ce qui en fait un dispositif de puissance économique pour les nouvelles applications spatiales et en orbite terrestre basse (LEO). Le boîtier céramique hermétique est conçu pour les environnements à dose complète et à événement unique (SEE).
Ces dispositifs sont conçus pour répondre à la norme MIL-PRF19500/746 avec des performances améliorées, ce qui en fait un excellent choix pour les applications exigeant des composants de haute fiabilité capables de résister aux environnements spatiaux difficiles et d'accroître la fiabilité des circuits d'alimentation.
« Répondre aux exigences strictes des MOSFET résistants aux radiations représente un défi de taille, et Microchip est fier d'avoir franchi cette étape grâce à son processus de conception et à sa technologie propriétaires dans ce domaine », a déclaré Leon Gross, vice-président du groupe Produits discrets de Microchip. « Notre technologie de pointe offre à nos clients des secteurs de l'aérospatiale et de la défense des solutions hautement fiables et économiques, répondant à la demande croissante du marché et à ses applications. ».
Les MOSFET de puissance JANSF et JANSR RH sont utilisés comme éléments de commutation principaux dans les circuits de conversion de puissance, tels que les convertisseurs de puissance au point de charge, les convertisseurs CC/CC, les variateurs et commandes de moteurs, ainsi que dans les applications de commutation générales. Grâce à leur faible RDS(ON) et à leur faible charge totale de grille, ces MOSFET de puissance améliorent l'efficacité énergétique, génèrent moins de chaleur et augmentent les performances de commutation par rapport à d'autres dispositifs similaires disponibles sur le marché.
Microchip propose une vaste gamme de solutions haute fiabilité destinées aux industries aérospatiales et de défense, notamment des couches physiques Ethernet tolérantes aux radiations (RT) et résistantes aux radiations (RH), ainsi que des dispositifs de puissance, des produits RF, des solutions de synchronisation et des composants discrets, allant des composants nus aux modules système. Microchip propose également une large gamme de composants QPL afin de mieux répondre aux besoins de ses clients.
Outils de développement
: des modèles Spice sont disponibles pour nos JANS MOSFET et offrent des ressources supplémentaires pour la simulation logicielle et l’optimisation de la conception.
